Maquinaria ASML

Hoy, más de 40 mil millones de dispositivos conectados están en uso en todo el mundo. De hecho, probablemente estés leyendo esto en uno de ellos. Para 2030, se espera que la cantidad de dispositivos aumente a alrededor de 350 mil millones, con cada deslizamiento, clic y conexión dependiendo de un microchip.

ASML es el principal proveedor mundial de sistemas de litografía. Todos los principales fabricantes de chips del mundo confían en los sistemas ASML para producir microchips en masa con mayor funcionalidad, rendimiento y eficiencia energética al tiempo que reducen su tamaño. Esto significa que todos podemos hacer más cosas, más rápido y más convenientemente que nunca.

La creación de patrones cada vez más pequeños en el silicio para generar un impacto cada vez mayor es una tendencia bien establecida en la industria de los chips. Y gracias al compromiso con la innovación de los 39.000 empleados de ASML, hay mucho más por venir.

Sus equipos están continuamente ampliando los límites de la física y dando forma al futuro de la vida, el trabajo y el juego, ayudando a sus clientes a innovar las tecnologías que pueden ayudar a la humanidad a manejar los desafíos y aprovechar las oportunidades al facilitar la vida y la movilidad inteligentes, la atención médica accesible, la seguridad alimentaria y la transición a las energías renovables.

Sistemas de litografía EUV

Usando luz EUV, los sistemas NXE ofrecen litografía de alta resolución y hacen posible la producción en masa de los microchips más avanzados del mundo.

Con una longitud de onda de solo 13,5 nm (casi un rango de rayos X), la tecnología de litografía ultravioleta extrema (EUV) de ASML puede hacer grandes cosas en una pequeña escala. EUV impulsa la Ley de Moore y admite nuevos diseños de transistores y arquitecturas de chips.

Producción masiva de microchips de vanguardia

Un teléfono inteligente relativamente nuevo, una de las últimas consolas de juegos o un reloj inteligente, es probable que se haya beneficiado directamente de la tecnología de litografía EUV.

Los microchips de vanguardia contienen miles de millones de transistores. Con cada nueva generación (a menudo denominada "nodo"), los fabricantes de chips incorporan cada vez más transistores y más pequeños para que los chips sean más potentes, rápidos y eficientes energéticamente.

Utilizando una longitud de onda de 13,5 nm, los sistemas EUV modelan las líneas más finas en los microchips. Se utilizan en la fabricación de gran volumen para crear las capas base altamente complejas de los microchips más avanzados (nodos de 7 nm, 5 nm y 3 nm).

Impulsando una escalabilidad asequible

El uso de EUV hace que el escalado sea más asequible para los fabricantes de chips y permite que la industria de los semiconductores continúe con su búsqueda de la Ley de Moore. Los sistemas EUV se utilizan para imprimir las capas más complejas de un chip, mientras que el resto de las capas se imprimen con varios sistemas DUV. Se requerirán ambos tipos de tecnología en paralelo durante muchos años y se continuará avanzando en ambas tecnologías.

TWINSCAN NXE:3600D

El TWINSCAN NXE:3600D es el sistema de litografía de última generación de ASML, que admite la producción en volumen de EUV en los nodos lógicos de 5 y 3 nm y los nodos DRAM de vanguardia.

Características 

El TWINSCAN NXE:3600D combina mejoras de imagen y superposición con una capacidad de mejora de la productividad del 15 % al 20 % en comparación con su predecesor, el NXE:3400C a una dosis de 30 mJ/cm 2. Las soluciones de litografía EUV proporcionadas por TWINSCAN NXE:3600D son complementarias a las proporcionadas por nuestros sistemas TWINSCAN NXT basados ​​en tecnología de inmersión ArF.

La plataforma NXE utiliza luz EUV de 13,5 nm, generada por una fuente de plasma a base de estaño, para exponer obleas de 300 mm con un tamaño de campo de exposición máximo de 26 mm x 33 mm. El NXE:3600D está equipado con una óptica de proyección reflectante con una apertura numérica (NA) de 0,33. El módulo óptico de iluminación de máscara flexible admite aplicaciones de bajo k1 mientras mantiene una alta productividad.

La combinación de mediciones in situ y la capacidad de corrección por oblea de la óptica y las etapas permite obtener imágenes optimizadas y un rendimiento de superposición para cada oblea expuesta. Esto se lleva a cabo con un alto rendimiento, porque los sistemas ASML TWINSCAN permiten la medición de las características de la oblea en la posición de metrología, mientras se expone otra oblea recién medida.