A principios de este año las empresas Intel y Micron establecieron un convenio de colaboración para mejorar los procesos de fabricación de sus memorias flash. A partir de la tecnología "2x nm" han desarrollado los modelos con tecnología de 25 nm. A continuación se muestran algunas fotografías del centro de producción de IMFT en Lehi (Utah, EEUU).
En la siguiente fotografía se pueden apreciar los nuevos elementos de la memoria flash con tecnología de 25 nm. Cada sección rectangular es de 2 GB, pudiendo juntar hasta cuatro de estos elementos para conseguir 8 GB en un solo circuito integrado. 
La fábrica dispone de amplias salas blancas en donde se instala con comodidad la maquinaria. Las baldosas del suelo están perforadas para permitir una corriente descendente del aire de ventilación, de forma que se mantenga en un mínimo la cantidad de partículas suspendidas en el mismo.
La producción corre a cargo de multitud de robots AMHS que se alimentan de forma automática.
A continuación se puede ver una de las salas de litografía. El grado de iluminación se controla para evitar los posibles daños en el material fotosensible. 
Esta es la máscara de fotolitografía. A pesar de que la máscara es mucho mayor que la superficie de la oblea de silicio que debe impresionar, se confecciona mediante un haz de electrones para obtener los detalles necesarios. 
La alineación entre la máscara y la oblea de silicio es fundamental en el proceso de litografía. La cruz se ha de situar en el centro de la pantalla, el origen de coordenadas. 
En esta oblea de 300 mm de diámetro hay más de 2 TB de memoria flash de 25 nm. 
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